报告题目：氧化物半导体：20年研究历程与体会

报 告 人：万青 教授 （南京大学电子科学与工程学院）

报告时间：2021年3月19日（周五）下午14:00

报告地点：物理学院新楼五楼大报告厅

报告摘要：

由于其独特的物理和光电特性，以氧化锌（ZnO）和铟镓锌氧（IGZO）为代表的氧化物半导体纳米与薄膜器件在平板显示驱动、智能传感和新概念神经形态系统等领域引起了全球科研人员和产业界的极大兴趣。近20年来，本人一直坚持氧化物半导体及其新概念器件应用研究，并取得了一批创新成果。代表成果如下：

1）氧化物半导体纳米线：早在2003年，我们首次研究了四角状一维ZnO纳米线的真空电子场发射特性，并发现四角状ZnO纳米结构很低的发射阈值电场和很高的发射电流密度【APL. 83, 2253 (2003)】。早在2005年，我们就研究了SnO2纳米线的锂离子存储特性【APL. 87, 113108 (2005)】，表明本人是国际上研究纳米线锂电池应用的先驱。

2）神经形态晶体管：早在2009年，我们就成功研制了世界上第一个基于界面离子/电子耦合的多端口非晶氧化物神经形态器件，并在单个器件上实现了若干重要突触/神经元功能和动力学树突算法的仿生。另外，还基于多脉冲时空协同调控模式实现了超低功耗生化仿生传感。《Nature Asia Materials》杂志亮点报道了有关成果，并指出采用固态电解质作为栅介质可以有效地降低器件的工作电压和能耗，Wiley出版社以“从底层新概念神经形态器件向人工智能进军！”为标题进行了专题报道。

报告人简介：

万青，男，1976年8月出生，南京大学电子科学与工程学院教授/博士生导师。1998年本科毕业于浙江大学材料系，2004年在科学院上海微系统所获微电子学博士学位，之后在英国剑桥大学、美国密西根大学、斯坦福大学从事博士后、访问学者科研工作，2013年4月加盟南京大学电子工程学院。主要从事氧化物半导体微纳及其新概念器件研究。累计在Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters、IEEE Electron Device Letters和Appl. Phys. Letts.等权威学术杂志上发表SCI论文200多篇，累计SCI他引1万余次。先后荣获科学院院长特别奖（2003年）、全国百篇优秀博士论文（2006年）、浙江省科技一等奖（2013年，个人排名第1），高等学校自然科学一等奖（2009年，个人排名第2）、中国青年科技奖（2009年）等奖励和荣誉。

邀请人：何军 教授