报告题目：二维电子器件与集成技术

报告人：王欣然 教授 （南京大学电子科学与工程学院）

报告时间：2019年10月11日（周五）上午9:30

报告地点：物理学院新楼5楼多功能厅

报告摘要：

随着硅基晶体管的尺寸逐渐接近物理极限，集成电路面临着基本物理原理和高功耗等挑战。二维半导体材料具有超薄极限沟道厚度、高迁移率、能带可调控等特点，可以在5nm工艺节点以下有效抑制短沟道效应，有望给“后摩尔时代”微电子器件带来新的技术变革。本报告将围绕高性能、低功耗逻辑器件与集成这个目标，探讨二维材料选择、迁移率、接触电阻、介电层、负电容效应、材料合成、器件工艺等关键科学问题，并指出未来的发展方向。

报告人简介：

王欣然 教授、南京大学电子科学与工程学院博士生导师、副院长，2010年博士毕业于美国斯坦福大学，2010-2011年在斯坦福大学和伊利诺伊大学香槟分校做博士后，主要从事低维材料与信息器件研究。发表SCI论文70余篇，包括18篇Science、Nature及子刊，论文总引用超过15000次。2016年获得“中国青年五四奖章”、“中国青年科技奖”，2017年获得国家自然科学二等奖（3/5）、中国物理学会黄昆物理奖。作为负责人承担973A类项目课题，国家自然科学基金重点项目、重大仪器项目等。目前担任npj 2D Materials and Applications国际学术期刊副主编，Nano Research、半导体学报等期刊编委，共青团江苏省委委员，江苏省青联副主席，共青团南京市委副书记（兼职）。

邀请人：何军 教授